磁控濺射鍍膜機在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，運動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向。

　　另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量，同時，經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。

　　射頻磁控濺射相對于直流磁控濺射的主要優(yōu)點是，它不要求作為電極的靶材是導電的。因此，理論上利用射頻磁控濺射可以濺射沉積任何材料，由于磁性材料對磁場的屏蔽作用，濺射沉積時它們會減弱或改變靶表面的磁場分布，影響濺射效率，磁性材料的靶材需要特別加工成薄片，盡量減少對磁場的影響。

　　電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出正離子和新的電子；新電子飛向基片，離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。

　　在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場，被束縛在靶表面特定區(qū)域，增強電離效率，增加離子密度和能量，從而實現(xiàn)高速率濺射，是制備低維度，小尺寸納米材料器件的實驗手段，廣泛應用于集成電路，光子晶體，低維半導體等領域。

　　磁控濺射鍍膜機是一款小型磁控濺射鍍膜儀，主要特點是設備體積小，結(jié)構(gòu)簡單緊湊易于操作，對實驗室供電要求低，從而提高設備的穩(wěn)定性；另外自主開發(fā)的智能操作系統(tǒng)在設備的運行重復性及安全性方面得到更好地保障。該設備標配2只2英寸永磁靶，一臺500W直流濺射電源（用于濺射金屬導電材料），1臺300W全自動匹配射頻濺射電源（用于濺射絕緣材料），主要用來開發(fā)納米級單層及多層的金屬導電膜、半導體膜以及絕緣膜等。

　　設備集成度高，結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，可以放置于實驗桌面上即可；通過更換設備上下法蘭可以實現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換，實現(xiàn)一機多用；可將主機置于手套箱內(nèi)，水、電、氣等通過4個接口接到手套箱外，與手套箱的對接靈活方便。